?氮化鋁具有高熱導率、良好的電絕緣性、低介電常數、無毒等性能，應用前景十分廣闊，特別是隨著大功率和超大規模集成電路的發展，集成電路和基片間散熱的重要性也越來越明顯。因此，基片必須要具有高的導熱率和電阻率。

為滿足這一要求，國內外研究學者開發出了一系列高性能的陶瓷基片材料，其中主要包括：Al₂O₃、BeO、AlN、BN、Si₃N₄、SiC，其中氮化鋁是綜合性能最優良的新型先進陶瓷材料，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件的理想封裝材料。

燒結過程是氮化鋁陶瓷制備的一個重要階段，直接影響陶瓷的顯微結構如晶粒尺寸與分布、氣孔率和晶界體積分數等。因此燒結技術成為制備高質量氮化鋁陶瓷的關鍵技術。氮化鋁陶瓷常用的燒結技術有無壓燒結、熱壓燒結、放電等離子燒結、微波燒結等。

無壓燒結

無壓燒結是陶瓷燒結中最簡單也是最常見的一種燒結方法,一般的燒結溫度在 1600-2000C左右，當燒結助劑 Y2O3; 添加之后,粉體會出現液相燒結,燒結溫度一般會下降100-200C，而1800C是最常見的燒結溫度。無壓燒結對設備的要求不是很高，相對來說比較經濟，但通常所需的燒結溫度較高 (一般在1800-1850C左右)，燒結速率偏低，燒結體的相對密度也偏低。

熱壓燒結是對裝入模具的粉體同時加熱加壓，使粉料處于熱塑性狀態，從而產生兩種特殊的傳質過程，即晶界滑移和擠壓蠕變傳質。這兩種傳質過程在普通燒結過程中基本是不存在的，有助于顆粒的接觸擴散和流動傳質過程的進行，從而降低燒結溫度和氣孔率。

放電等離子燒結

放電等離子燒結(SPS)利用脈沖能、放電脈沖壓力和焦耳熱產生的瞬間高溫場來實現燒結過程。SPS 升溫速度快、燒結時間短、能在較低的溫度下燒結通過控制燒結組分與工藝能實現溫度梯度場，可用于燒結梯度材料及大型工件等復雜材料。放電等離子燒結體內每個顆粒均勻的自身發熱使顆粒表面活化，因而具有很高的熱導率，可在短時間內使燒結體致密化。

微波燒結

微波燒結是通過物質吸收微波的能量而進行自身加熱，其加熱過程在坯體整個體積內同時進行，升溫迅速、溫場均勻。此外，微波燒結本身也是一種活化燒結的過程，因此整個加熱燒結的時間特別是高溫反應期大大縮短。這些特點有利于提高致密化速度并可有效抑制晶粒生長，從而獲得常規燒結方法無法實現的獨特的性能和結構，因此具有良好的發展前景。

微波燒結是一種新型、高效的燒結技術，具有傳統燒結技術無可比擬的優越性。不添加任何燒結助劑的微波燒結法被認為是一條獲得AlN透明陶瓷非常有前途的低成本化技術途徑，但是受微波燒結設備的限制，通常很難獲得較低的燒結溫度，因此，有必要開展微波低溫燒結工藝制備AlN透明陶瓷的研究。

氮化鋁陶瓷的燒結十分復雜，AlN屬于共價鍵化合物，熔點高，原子自擴散系數小，因此，純AlN陶瓷很難燒結致密化，難以獲得高的熱導率和良好的機械強度。因而，AlN陶瓷燒結需要保護氣氛以及添加少量的燒結助劑，目前采用最多的仍為添加燒結助劑的氮氣保護下的常壓燒結。